ECC ,R-ECC,FBD ECC內(nèi)存優(yōu)勢與區(qū)別
ECC是“”的簡寫，中文名稱是“錯(cuò)誤檢查和糾正”。ECC是一種能夠?qū)崿F(xiàn)“錯(cuò)誤檢查和糾正”的技術(shù)，
ECC內(nèi)存就是應(yīng)用了這種技術(shù)的內(nèi)存，一般多應(yīng)用在服務(wù)器及圖形工作站上，這將使整個(gè)電腦系統(tǒng)在工作
時(shí)更趨于安全穩(wěn)定
R-ECC “RAMBUS Error Checking and Correcting”RAMBUS是一項(xiàng)挑戰(zhàn)傳統(tǒng)主內(nèi)存設(shè)計(jì)的全新DRAM結(jié)構(gòu)以
及接口標(biāo)準(zhǔn)，是由RAMBUS公司和INTEL公司合作提出的一項(xiàng)專利技術(shù)。與較早的內(nèi)存技術(shù)相比,Rambus技術(shù)
的速度驚人，它以高達(dá)800MHz的速度透過一個(gè)稱為“Direct Rambus Channel”的狹窄16位匯流排傳輸資
料，它的高傳輸速度是透過一項(xiàng)使內(nèi)存能夠在時(shí)鐘周期波峰及波谷執(zhí)行作業(yè)的 “double clocked”功能
。
FBD即Fully-buffer DIMM（全緩存模組技術(shù)），它是一種串行傳輸技術(shù)，可以提升內(nèi)存的容量和傳輸帶寬
.是Intel在DDR2、DDR3的基礎(chǔ)上發(fā)展出來的一種新型內(nèi)存模組與互聯(lián)架構(gòu)，既可以搭配現(xiàn)在的DDR2內(nèi)存芯
片，也可以搭配未來的DDR3內(nèi)存芯片。FB-DIMM可以極大地提升系統(tǒng)內(nèi)存帶寬并且極大地增加內(nèi)存最大容
量。